男人爱不爱你性会告诉你SiC价格跳水，开启下半场战役_ZAKER新闻男人爱不爱你性会告诉你
SiC价格跳水，开启下半场战役_ZAKER新闻男人爱不爱你性会告诉你
教育部有关司局负责同志，新疆维吾尔自治区、新疆生产建设兵团有关单位负责同志参加援疆干部人才座谈会、产教融合座谈会。教育部人事司负责人在援疆干部人才座谈会上通报第十批援疆干部人才受表彰情况，援疆干部人才代表作交流发言。自治区和兵团有关部门、企业、职业院校负责人在产教融合座谈会上作交流发言。
题图2023 年，国内碳化硅（SiC）衬底行业涌入大量的玩家，众多项目在全国各地落地，产能扩张达到空前规模。据行业数据显示，2023 年国内 SiC 衬底的折合 6 英寸销量已超过 100 万片，许多厂商的产能爬坡速度超过预期。直至如今，6 英寸 SiC 衬底的扩产动作仍在继续。01SiC 产能，持续开出不完全统计，中国大陆约有 20 余家 SiC 衬底企业，分别包括天岳先进、天科合达、 东尼电子 、烁科晶体、同光晶体、世纪金光、 露笑科技 等。天岳先进上海临港新工厂已于 2023 年 5 月开始交付 6 英寸导电型 SiC 衬底，目前产能和产量均在持续爬坡中。按照目前的进展来看，天岳先进预计将提前实现达产。在此基础上，天岳先进在 2023 年下半年决定将 6 英寸 SiC 衬底的生产规模扩大至 96 万片 / 年。上海临港工厂达产后，将成为天岳先进导电型 SiC 衬底主要生产基地。天科合达徐州 SiC 芯片二期项目于去年 8 月开工，项目总投资 8.3 亿元，达产后，可实现年产 SiC 衬底 16 万片。2023 年 12 月 28 日，该项目已全面封顶，预计今年投产。2024 年 2 月 27 日，由天科合达子公司深圳重投天科负责运营的第三代半导体 SiC 材料生产基地也在深圳宝安区启动，预计今年衬底和外延产能达 25 万片。烁科晶体SiC 二期项目今年顺利通过竣工验收，二期项目的建成，预计将为烁科晶体带来每年新增 20 万片 6-8 英寸 SiC 衬底的产能，其中包括 N 型 SiC 单晶衬底 20 万片 / 年、高纯衬底 2.5 万片 / 年、莫桑晶体 1.3 吨 / 年。东尼电子的 " 年产 12 万片 SiC 半导体材料 " 项目于 2023 年上半年实施完毕。今年 3 月，湖州市生态环境局公示了对 东尼电子 扩建 SiC 项目的环评文件审批意见，此次本次公示的项目，则是在该募投项目上的进一步扩建。根据公告内容，东尼半导体计划利用东尼五期厂区厂房，实施扩建年产 20 万片 6 英寸 SiC 衬底材料项目。三安光电去年年底在投资者问答中表示，目前 SiC 产能在逐步释放，预计 2023 年末至 2024 年初，公司 6 英寸 SiC 产能规划扩产至 1.8-2 万片 / 月。重投天科建设运营的第三代半导体材料产业园于今年年初正式揭牌，该产业园围绕生产衬底和外延等制造芯片的基础材料，重点布局了 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延生产线，预计 2024 年衬底和外延产能达 25 万片。02SiC 价格，持续下探随着全球 6 英寸 SiC 片产能释放，加之电动汽车需求暂缓，这给今年 SiC 价格带来下行压力。据悉，2024 年中期，6 英寸 SiC 衬底价格已跌至 500 美元以下，接近中国制造商的生产成本线。然而，到第四季度，价格将进一步跌至 450 美元甚至 400 美元，给大部分制造商带来沉重财务压力。值得注意的是，国际供应商的报价在 2023 年底仍高达 850 美元。如今已经有一些一线供应商已经在寻求出售业务，以避免巨额亏损的持续扩大。对于价格下降的原因，行业分析师将其归因于供应过剩和市场竞争加剧。一线中国供应商为抢占市场份额而发起的价格战愈演愈烈，小制造商也加入竞争，导致市场不稳定。尽管国内 SiC 衬底产能增长迅速，但不同供应商之间的良率差异较大，部分企业在订单履行方面面临着严峻挑战。供应商之间的激烈竞争使得价格不断走低，许多厂商被迫亏本销售。这种竞争环境增强了全球买家的谈判地位，博世和英飞凌等主要国际 IDM 获得了越来越优惠的价格协议。与此同时，SiC 衬底的主要应用领域 —— 电动汽车和光伏发电市场（SiC 器件最大的市场），由于长达 6 个月到 1 年的验证期，使得客户在选择供应商时尤为谨慎，担心验证期结束后供应商可能已破产。这一情况进一步拖累了供应链的流动性。业内人士预计，原本应在 2026 年左右到来的 SiC 衬底行业整合潮，可能会因价格战的激化而提前至 2025 年中期。在近日的业绩会上，有投资者向 天岳先进 提问："4 英寸、6 英寸等传统 SiC 衬底产品价格是否有进一步下探的空间？"天岳先进 董事长、总经理宗艳民表示，SiC 衬底价格会下降，这一方面是由于技术的提升和规模化效应推动衬底成本的下降；另一方面，目前SiC 衬底价格比硅衬底高，而价格下降有助于下游应用的扩展，推动 SiC 更加广阔的渗透应用。中国供应商的快速扩产和大幅降价也让国际竞争对手措手不及，全球行业形势正在悄然发生变化。03SiC 巨头，也受到影响行业巨头，面临挑战近日，总部位于达勒姆的 Wolfspeed 公司有多则坏消息传出。Wolfspeed 曾是全球范围内首家 8 英寸 ( 200mm ) SiC 晶圆制造厂，从 2015 年项目发布到 2022 年建成投产以及实现量产共历时 7 年。2023 年，为了加速转型，Wolfspeed 出售射频业务给 MACOM，此后 Wolfspeed 专注于 SiC 业务。然而随着 SiC 市场竞争持续加剧，Wolfspeed 业绩持续亏损、深陷 " 财务危机 "。根据 Wolfspeed 公布的 2025 财年第一财季财报显示，该财季营收同比下滑 1.37% 至 1.95 亿美元，净亏损虽同比收窄了 28.68%，但仍亏损达 2.82 亿美元。受业绩持续亏损影响，Wolfspeed 日前还宣布启动了一项耗资 4.5 亿美元设施关闭和整合计划，即关闭其在美国北卡罗来纳州达勒姆的 150 毫米 SiC 工厂，同时减约 20% 的员工，目前该公司有 5000 名员工，也就是说需要裁撤 1000 个工作岗位。展望 2025 财年的第二季度，Wolfspeed 预计其非 GAAP 净亏损额将在 1.45 亿至 1.14 亿美元之间。11 月 18 日，Wolfspeed 发布公告称，其董事会已决定同意 Gregg Lowe 于本月辞去 Wolfspeed 总裁兼首席执行官和董事会成员的职务。虽然 Gregg Lowe 本人和 Wolfspeed 董事会均未说明其辞职的原因，但是外界猜测这与 Wolfspeed 近几个季度的业绩表现脱不了干系。罗姆的 SiC 业务有重大调整Wolfspeed 遭受逆风的同时，另一家 SiC 大厂罗姆半导体的日子也不太好过。11 月 7 日，罗姆半导体公布了 2024 财年上半年（2024 年 4 月至 9 月）业绩报告。该时间段内，罗姆半导体实现营收 2320 亿日元（约合人民币 109.04 亿），同比下滑 3%。次日罗姆举行了财务业绩发布会，并透露了 SiC 业务进展及未来规划。首先是投资金额削减，罗姆半导体原计划在 2021 年至 2027 年针对 SiC 业务投资 5100 亿日元（约合人民币 239.7 亿），现在将降至 4700 亿 -4800 亿日元（约合人民币 220.9 亿 -225.6 亿），具体来看，2024 财年的投资额降至 1500 亿日元（约合人民币 70.5 亿），2025 财年则降至 1000 亿日元（约合人民币 47 亿）以下。其次是增长计划放缓，此前，罗姆半导体为其 SiC 业务设定了 2025 财年达到 1100 亿日元（约合人民币 51.7 亿）的销售额目标。然而，由于工业设备和电动汽车市场放缓，目标被推迟到 2026-2027 年。最后是产能安排调整，罗姆半导体正在推动 8 英寸 SiC 的量产，其中筑后工厂计划于 2025 年开始大规模生产，宫崎第二工厂预计在 2025 年投产。另一方面，罗姆半导体原计划 2025 财年将 SiC 功率半导体的产能提高至 2021 财年的 6.5 倍，但该目标将延迟一年后实现。04SiC，开启下半场！当下，6 英寸 SiC 晶圆价格持续陷入内卷困境，大量厂商将目光投向尺寸更大的 SiC 衬底，试图以此探寻新的发展契机和突破方向。目前，8 英寸便是 SiC 战役的下半场。根据 Wolfspeed 报告显示，以 32mm² 面积的裸片（芯片）为例，6 英寸可以切出 448 颗，8 英寸可以切出 845 颗，8 英寸 SiC 衬底上的裸片数量相比 6 英寸增加近 90%；由于边缘芯片的良率较低，6 英寸的边缘裸片数量占比会达到 14%，8 英寸的这一占比降低至 7%，8 英寸衬底利用率相比 6 英寸提升了 7%。根据 SiC 衬底厂商天科合达的测算，从 6 英寸提升到 8 英寸，单位成本预计能够降低 35%。截至 2023 年，海外已经形成从 8 英寸衬底到晶圆制造的产业链布局，海外头部大厂在 8 英寸 SiC 衬底技术上的发展和产品研发在近两年明显加快。除了已实现量产的 Wolfspeed，还有 7 家 SiC 衬底、外延、器件厂预计在未来 1-2 年实现 8 英寸衬底的量产。其中，Wolfspeed 的 8 英寸衬底及 MOSFET 已实现批量应用，并持续建设 JohnPalmour SiC 衬底厂，推动衬底产能扩充、配合其 8 英寸晶圆厂的扩产需求；ST 意法半导体也向 8 英寸领域投资，其联合湖南三安半导体建设 8 英寸 SiC 晶圆厂，三安配套自建一座 8 英寸 SiC 衬底厂，保障合资工厂的材料供应稳定性。根据 YOLE 报告预测，2024 年 8 英寸 SiC 衬底将大批量进入市场。业界预计从 2026 年至 2027 年开始，现在的 6 英寸 SiC 产品都将被 8 英寸产品替代。据集邦咨询数据显示，目前 8 英寸的产品市占率不到 2%，预计 2026 年市场份额将成长到 15% 左右。相关图表国内厂商的量产突破步伐也在加快。目前已超 10 家企业 8 英寸 SiC 衬底进入了送样、小批量生产阶段，包括烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、天科合达、科友半导体、湖南三安半导体、超芯星、粤海金等。投资方面，烁科晶体、南砂晶圆、天岳先进、天科合达、科友半导体、三安光电等均有 8 英寸衬底相关扩产计划，旨在提前为后续中下游客户做好材料产能供应的准备。近日，天岳先进表示正在稳步推进临港工厂二期 8 英寸 SiC 衬底扩产计划。其临港工厂的 8 英寸 SiC 总体产能规划约 60 万片，将分阶段实施。与此同时， 天岳先进 还于 2024 德国慕尼黑半导体展览会上首次推出了 12 英寸 ( 300mm ) SiC 衬底产品 , 正式宣告超大尺寸 SiC 衬底时代的大幕拉开。今年 6 月，士兰微电子 8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生产线项目（士兰集宏）在厦门市海沧区正式开工。项目总投资为 120 亿元人民币，分两期建设，两期建设完成后将形成 8 英寸 SiC 功率器件芯片年产 72 万片（6 万片 / 月）的生产能力。其中第一期项目总投资 70 亿元，预计在 2025 年三季度末实现初步通线，2025 年四季度试生产并实现产出 2 万片的目标；2026 年 -2028 年持续进行产能爬坡，最终将形成年产 42 万片 8 英寸 SiC 功率器件芯片的生产能力。湖南三安 SiC 项目一期在全线投产后，为顺应 6 英寸向 8 英寸转型大趋势，二期项目全部导入 8 英寸生产设备和工艺。今年中旬，湖南三安 8 英寸 SiC 产线取得了积极进展。7 月， 三安光电 在投资者互动平台表示，湖南三安项目后续扩产将生产 8 英寸 SiC 产品，目前，8 英寸 SiC 衬底已开始试产，8 英寸 SiC 芯片预计于 12 月投产。同日，据西永微电园官微消息，重庆三安半导体 SiC 衬底工厂已完成主设备进机仪式。据重庆三安基建负责人透露，该项目目前整体建设进度已完成 95% 以上，正处于设备进场安装调试的关键阶段，预计 8 月底将实现衬底厂的点亮通线。资料显示，重庆三安意法 SiC 项目总规划投资约 300 亿元人民币，项目达产后将建成全国首条 8 英寸 SiC 衬底和晶圆制造线，具备年产 48 万片 8 英寸 SiC 衬底、车规级 MOSFET 功率芯片的制造能力，预计营收将达 170 亿人民币。koa12jJid0DL9adK+CJ1DK2K393LKASDad
编辑:马连良
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