Gary强㢨app84_娱乐前沿_解码中微公司营Gary强㢨app84收高增长

解码中微公司营Gary强㢨app84收高增长

图表10：中间价持续释放稳汇率预期

中微公司2024年业绩再次提高，四季度延续了前三季度的高增长，主要产品刻蚀设备保持竞争优势，薄膜设备不断突破，另一方面公司在高端照明和显示领域的设备不断升级，围绕集成电路前道工序开拓新设备品类，呈平台化发展趋势。吴新竹/文1月15日，中微公司（688012.SH）发布的业绩预告显示，2024年预估实现营业收入90.65亿元、扣非归母净利润12.80亿-14.30亿元，分别同比增长44.73%和7.43%-20.02%。中微公司以刻蚀机和薄膜设备为主打产品，2024年刻蚀设备同比增长54.71%，薄膜设备中，MOCVD（新型气相外延生长技术）设备同比下降18.11%，LPCVD（低压力化学气相沉积法）薄膜设备实现首台销售。技术层面上，中微公司的等离子刻蚀设备技术能力已经达到5nm及以下；产能方面，固定资产规模大幅提高，生产及研发基地不断扩张。公司预计2025年或有10余类薄膜沉积设备产品交付客户，顺应下游的需求增长，扩大在主要客户产品线上的占有率，订单及业绩增速有望保持高位。收入增长迅速分类型看，2024年，中微公司刻蚀设备销售72.76亿元，同比增长54.71%；MOCVD设备销售3.79亿元，同比下降18.11%；LPCVD薄膜设备2024年实现首台销售，收入达1.56亿元。中微公司针对芯片制造中关键工艺的高端产品不断获得市场认可，多款新产品形成重复订单，成为收入增长的重要引擎。例如，LPCVD薄膜设备2024年累计出货超100个反应台。2019-2023年，公司营收由19.47亿元增长至62.64亿元，复合增长率超过30%，扣非归母净利润由1.48亿元增长至11.91亿元，复合增长率超过60%。2024年前三季度的生产及发货状况均反映公司在手订单充足，支撑后续营收的快速增长。截至2024年三季度末，公司存货和合同负债分别为78.22亿元和29.88亿元，同比分别增长91.18%和118.82%。前三季度生产专用设备1160腔，同比增长310%，对应产值约94.19亿元，同比增长287%；新增订单为76.4亿元，同比增长约52%，其中刻蚀设备新增订单62.5亿元，同比增长约54.7%，新产品LPCVD新增订单3亿元，开始启动放量。从历年三季报数据来看，中微公司的毛利率较为稳定，自2021年前三季度起毛利率保持在40%以上。盈利稳定的另一面，公司固定资产规模迅速扩大，2023年四季度之前，固定资产占资产总额的比例在3%左右，四季度末攀升至9.23%，2024年三季度末达到24.99亿元，占资产总额的比例为9.89%，产能布局提升显著；同时，固定资产周转率由2023年前三季度的9.21次下降至2024年前三季度的2.46次，产能尚未充分释放。此外，财务指标反映出公司的实际运营策略正在发生变化，货币资金占资产总额的比例首次下降至30%以下，资金使用效率有所提高；净营业周期自2023年第一季度起首次超过400天，主要因存货周转天数拉长，但公司的资产减值损失变化不大，未大量计提存货跌价损失。为应对外部风险，中微公司过去17年公司和美国设备企业及美国政府发生数次法律诉讼，四次胜诉，两次和解。据公司公告，2024年12月，美国国防部正式将中微公司从中国军事企业清单（下称“清单”）中移除。2024年1月，美国国防部曾将中微列入清单，8月中微公司发起诉讼维权，最终美国国防部在审查后作出撤销决定。2024年12月，美国商务部工业与安全局修订了对中国半导体出口管制措施新规则，中微公司在该次修订新规事件中未进入实体清单。保持高研发强度2024年，全球半导体销售额从2023年的5269亿美元增长至6112亿美元新高，增幅约为16%，据预测，2025年市场规模将进一步增长12.5%至6874亿美元。市场对中微公司开发多种新设备的需求快速增长，2024年公司显著加大研发力度，研发投入约24.50亿元，较上年增长94.13%，其中计入研发费用14.15亿元，占公司营业收入的比例为15.61%，较上年增加了2.57个百分点，处于公司的历史高位。技术创新是半导体高端制造业的灵魂，中微公司目前在研发的薄膜沉积类产品一共有20多类，2023年已经付运客户端的设备有6类，2024年、2025年，公司会新增10余类产品交付客户。为推动供应链的稳定、安全，保持较高的设备交付率，公司还持续开发关键零部件供应商，销售额取得快速增长。值得关注的是，公司2024年三季度末资产负债表中的资本化开发支出已积累至9.66亿元，未来转入无形资产后，摊销额会增加，减少利润，但在保持规模效益的前提下，影响相对可控。公司在新产品开发方面取得了成效，近两年新开发的LPCVD薄膜设备已有多款进入市场，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。继2023年南昌生产和研发基地投入使用后，中微公司在上海临港约18万平方米的生产和研发基地于2024年8月正式投入使用，约10万平方米的总部大楼暨研发中心尚在建设。相对于1700余人的历史员工规模来说，环境相对宽松，未来生产运营管理、成本费用控制需持续加强。2023年，公司的人均创收和创利分别为364万元和104万元，人均创利处于行业较高水平。中微公司采取了股权激励等措施留住人才，2020年、2022年、2023年和2024年，公司均制定了第二类限制性股票激励计划，授予价格分别为每股150元、50元、50元和76.10元。特别在近三年，激励对象人数占比超过90%。扩品类谋增长中微公司的等离子体刻蚀设备已批量应用在国内外一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。薄膜沉积设备如期完成多道工艺验证，更多应用正在验证当中，部分产品已收到客户重复订单。刻蚀环节根据控制技术的不同，干法刻蚀主要包括电感耦合等离子体（下称“ICP”）刻蚀和电容耦合等离子体（下称“CCP”）刻蚀等类型。公司生产的设备已在28nm以上的绝大部分CCP刻蚀、28nm及以下的大部分CCP刻蚀中得到应用；ICP刻蚀方面，公司针对60多条客户的生产线实现量产，覆盖逻辑、功率、电源管理、微电机系统等芯片和器件，还用于生产DRAM和3DNAND存储芯片。国际上先进芯片制程从7-5nm阶段向更先进工艺方向迈进，当前光刻机受光波长的限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺进行曝光。该技术路线的外部效应扩散至照明及显示领域，利用刻蚀工艺能够实现更精细的照明、更优质的显示效果。薄膜设备在发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场的应用发展迅速，这些器件所需的MOCVD设备是最重要的核心设备。与集成电路在很多种设备、很多步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD设备实现，而且MOCVD设备的大部分市场在中国本土。中微公司开发的碳化硅功率器件、氮化镓功率器件、Micro-LED等器件所需的多类MOCVD设备取得了良好进展，已进入验证阶段，后续有望规模化生产。值得一提的是，公司该类MOCVD设备的市占率超70%，在行业领先客户的生产线上大规模使用；Mini-LED显示所用的MOCVD设备亦成为国内外绝大多数LED生产线的主流设备。和大多数平台型设备制造商类似，中微公司的产品开发范畴还在扩张。公司通过投资布局了光学检测设备板块，并计划开发电子束检测设备，不断扩大对多种检测设备的覆盖。随着微观器件越做越小，检测设备的市场地位有所提高，增长速度很快，成为前道工序第四大设备门类，占半导体设备市场总额约11%。产品交付目前依赖位于南昌和上海临港的生产、研发基地，公司计划于2025-2030年期间投资约30.5亿元成立成都子公司，建设研发中心、生产基地及配套设施。该项目面向高端逻辑及存储芯片，开展化学气相沉积设备、原子层沉积设备及其他关键设备的研发和生产工作。项目总投资约30.5亿元，计划于2025年开工，2027年投入生产，预计2030年年销售额达10亿元。本文刊于01月25日出版的《证券市场周刊》

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编辑:吴家栋

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